Автор РИД: Федеральное государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический Центр" Московского государственного института электронной техники

Изобретение относится к технологии формирования наноэлектронных структур. Сущность изобретения: в способе получения нанослоев на сформированном на подложке первом жертвенном слое формируют второй жертвенный слой, наносят фоторезист, формируют в фоторезисте окно, травят второй и первый...