Автор РИД: Государственное Учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ)

Изобретение относится к микроэлектронике. Сущность изобретения: способ изготовления самосовмещенных транзисторных структур включает формирование в полупроводниковой подложке первого типа проводимости сплошного скрытого слоя второго типа проводимости, формирование на полупроводниковой подложке...