Автор РИД: Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук (ИХВВ РАН)

Изобретение может быть использовано для получения гексафторида вольфрама высокой чистоты, используемого в микроэлектронике, при синтезе теллуритных стекол. Способ очистки гексафторида вольфрама включает дистилляцию с последующей фильтрацией потока газообразного продукта через фторопластовый...

Изобретение может быть использовано при получении высокочистого оксида вольфрама (VI), применяемого в синтезе материалов для волоконной оптики и других областях. Способ получения высокочистого оксида вольфрама (VI) включает гидролиз очищенного гексафторида вольфрама с последующим выделением...