×

Автор РИД: Публичное Акционерное Общество "Электровыпрямитель"

Показаны записи 1-5 из 5.
31.05.2023
№223.018.7455

Блок управления шим-регулятором для возбуждения синхронного двигателя

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано для управления ШИМ-регуляторами в преобразователях для возбуждения синхронных двигателей. Блок управления ШИМ-регулятора, потенциально связанный с силовой схемой с ШИМ-регулятора, содержит источник питания, задающий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002796429
Дата охранного документа: 23.05.2023
19.03.2020
№220.018.0d7d

Способ роста эпитаксиальных слоев карбида кремния р-типа проводимости с малой плотностью базальных дислокаций

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при росте эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC) с малой плотностью базальных дислокаций. Способ заключается в том, что так же как в известном способе для роста эпитаксиальных слоев SiC используется подложка...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002716866
Дата охранного документа: 17.03.2020
10.09.2019
№219.017.c9cc

Устройство наружной установки для плавки гололеда

Использование: в области электроэнергетики для плавки льда на проводах и тросах воздушных линий электропередачи постоянным током. Технический результат заключается в обеспечении возможности эксплуатации устройства на открытой площадке в климатических условиях У1 по ГОСТ 15150. Достижение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002699667
Дата охранного документа: 09.09.2019
05.09.2019
№219.017.c73d

Выпрямитель для возбуждения синхронных электродвигателей

Изобретение относится к преобразовательной технике и может быть использовано для питания обмотки возбуждения синхронного электродвигателя. Выпрямитель содержит устройство плавного пуска, согласующий силовой трансформатор, диодный трехфазный выпрямительный мост, фильтр постоянного напряжения,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002699082
Дата охранного документа: 03.09.2019
20.06.2019
№219.017.8cd3

Способ роста эпитаксиальной структуры монокристаллического карбида кремния с малой плотностью эпитаксиальных дефектов

Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано при росте эпитаксиальных структур монокристаллического карбида кремния (SiC) с малой плотностью эпитаксиальных дефектов. Способ роста эпитаксиальной структуры монокристаллического карбида кремния с малой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002691772
Дата охранного документа: 18.06.2019
+ добавить свой РИД