Автор РИД: Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР"

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, в частности к светодиодам на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы. В полупроводниковой светоизлучающей гетероструктуре на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGaN (0≤х≤1,...