Автор РИД: Закрытое акционерное общество "Светлана - Оптоэлектроника"

Полупроводниковая светоизлучающая гетероструктура на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы AlInGaN (0≤х≤1, 0≤у≤1) с р-n переходом содержит последовательность эпитаксиальных слоев, образующих области n- и р-типа проводимости. В одной из этих областей сформирована активная...

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к конструкциям мощных источников света на основе полупроводниковых излучающих кристаллов. Техническим результатом изобретения является создание полупроводникового источника света, обладающего высокой оптической мощностью и...