Автор РИД: Шишкин Виктор Александрович

Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к конструкции инжекционного полупроводникового лазера с повышенной плотностью мощности излучения. Инжекционный лазер на основе полупроводникового материала AB и его твердых растворов с интерференционным покрытием по крайней мере на...

Изобретение относится к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным лазерам и лазерным диодным линейкам. Предложенный лазер включает гетероструктуру с волноводными слоями, в одном из ограничительных слоев которой расположены рельефные структуры, по крайней мере часть мезаполоски и...