Автор РИД: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им А.Ф. Иоффе РАН

Изобретение относится к области мощных высоковольтных приборов и может быть использовано для создания элементной базы преобразовательных устройств. Сущность изобретения: высоковольтный полупроводниковый прибор включает кремниевый диффузионный планарный p′-N переход, электрические контакты для...