×

Автор РИД: Общество с ограниченной ответственностью "Полупроводниковые кристаллы"

Показаны записи 1-1 из 1.
16.05.2019
№219.017.52a8

Способ выращивания монокристаллов карбида кремния

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов конденсацией испаряемого или сублимируемого материала и может быть использовано в полупроводниковой промышленности. В ростовой камере, снабженной теплоизоляцией, размещают параллельно одна напротив другой испаряющуюся поверхность...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002411195
Дата охранного документа: 10.02.2011
+ добавить свой РИД