Автор РИД: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН

Способ получения многослойной структуры двухпереходного фотоэлектрического преобразователя, включающий последовательное осаждение из газовой фазы на подложку p-типа GaAs тыльного потенциального барьера из триметилгаллия (TMGa), триметилалюминия (TMAl), арсина (AsH) и источника p-примеси, базы...

Изобретение относится к области технологии полупроводников и может быть использовано для осуществления электронной и химической пассивации поверхности полупроводникового соединения GaSb и приборов на его основе. Сущность изобретения: способ получения нитридной пленки на поверхности GaSb...

Способ изготовления светоизлучающей структуры и светоизлучающая структура относятся к оптоэлектронике и могут найти применение для изготовления конструкций светоизлучающих квантоворазмерных гетероструктур, в частности лазеров, работающих в инфракрасном диапазоне длин волн. Сущность: способ...

Изобретение относится к области изготовления полупроницаемых мембран для молекулярной фильтрации газовых потоков и для разделения реакционных пространств в химических реакторах. Способ получения газопроницаемой мембраны включает двустороннее электрохимическое травление монокристаллической...