Автор РИД: Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной Техники"

Изобретение относится к технологии производства интегральных схем на подложках типа - кремний на изоляторе (КНИ) и может быть использовано для создания транзисторых структур с предельно минимальными размерами для УБИС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного двухзатворного...