×

Автор РИД: Институт синтетических полимерных материалов (ИСПМ) им. Н.С. Ениколопова РАН

Показаны записи 1-4 из 4.
09.05.2019
№219.017.4d15

Полиарилсилановые дендримеры и способ их получения

Изобретение относится к области химической технологии кремнийорганических соединений. Техническая задача - синтез новых полиарилсилановых дендримеров, содержащих как минимум 6 функциональных арилсилановых звеньев, в том числе дендримеров больших генераций, пригодных для использования в качестве...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002353629
Дата охранного документа: 27.04.2009
09.05.2019
№219.017.4c09

Полиарилсилановые монодендроны и способ их получения

Изобретение относится к химической технологии кремнийорганических соединений. Техническая задача - синтез новых полиарилсилановых монодендронов, в том числе больших генераций. Предложены новые полиарилсилановые монодендроны и способ их получения. Монодендроны имеют общую формулу (I) где R...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002348657
Дата охранного документа: 10.03.2009
19.04.2019
№219.017.2ecc

Пластмассовый сцинтиллятор с наноструктурированными люминофорами

Изобретение относится к области создания материалов для сцинтилляционной техники, а именно к пластмассовым сцинтилляторам (ПС), и может быть использован в ядерной физике, физике высоких энергий, в радиационной химии, в атомной промышленности, радиационной медицине. Полимерная основа...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002380726
Дата охранного документа: 27.01.2010
17.04.2019
№219.017.15df

Способ получения модифицированной аскорбиновой кислотой сшитой соли гиалуроновой кислоты и биоактивная композиция на ее основе

Изобретение относится к природным полимерам из класса полисахаридов. Способ получения предусматривает химическое взаимодействие соли гиалуроновой кислоты, аскорбиновой кислоты и/или соли аскорбиновой кислоты вместе с сшивающим агентом. Исходные реагенты подвергают одновременному воздействию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002382050
Дата охранного документа: 20.02.2010
+ добавить свой РИД