Автор РИД: Федеральное государственное учреждение Научно-Производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых микро- и наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: в способе изготовления наноразмерных проволочных кремниевых структур на кремниевой подложке последовательно создают слой SiO, слой кремния и затем опорный слой, на котором...