×

Автор РИД: Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (ФГУ НПК "ТЦ" МИЭТ)

Показаны записи 1-2 из 2.
10.07.2019
№219.017.b0b0

Способ получения слоя диоксида кремния и устройство для его реализации

Изобретение может быть использовано в микроэлектронике при производстве интегральных микросхем. Для получения слоя диоксида кремния загружают кассеты с кремниевыми подложками через открытую вакуумную заслонку в камеру осаждения реактора, закрывают вакуумную заслонку, проводят откачку реактора...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002430882
Дата охранного документа: 10.10.2011
10.04.2019
№219.017.07b7

P-i-n-диодный преобразователь нейтронного излучения

Изобретение относится к полупроводниковым приборам для преобразования воздействий радиационного излучения, преимущественно нейтронного, в электрический сигнал, измерение которого позволяет определить уровень радиации или набранную дозу облучения. P-I-N-диодный преобразователь нейтронного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002408955
Дата охранного документа: 10.01.2011
+ добавить свой РИД