Автор РИД: Государственное учреждение Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ

Использование: микроэлектроника, технология изготовления самосовмещенных БиКМОП структур в составе ИМС. Сущность изобретения: в способе изготовления самосовмещенного БиКМОП прибора окна под все области биполярных и МОП транзисторов, а также изолирующих областей вскрывают одновременно в третьем,...