Автор РИД: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН"

Использование: в микроэлектронике, а именно в способах фотолитического травления поверхности пластин в процессе изготовления сверхбольших интегральных схем. Сущность изобретения: способ фотолитического травления двуокиси кремния включает травление поверхности SiO в гексафториде серы при...

Изобретение относится к средствам для образования паровой и парогазовой смеси, используемой при высокотемпературной обработке изделий в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем. Изобретение направлено на повышение надежности и качества дозатора, что обеспечивается за счет...

Лодочка для удержания кремниевых пластин при изготовлении полупроводниковых приборов относится к устройствам, предназначенным для удержания кремниевых пластин во время термообработки. Лодочка состоит из четырех параллельных кварцевых стержней с нарезанными в них пазами, соединенных между собой...