×

Автор РИД: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (АООТ "НИИМЭ и завод "МИКРОН")

Показаны записи 1-1 из 1.
11.03.2019
№219.016.d677

Способ формирования слоев поликристаллического кремния

Областью применения изобретения является микроэлектроника, а именно технология изготовления интегральных схем. Предложенный способ включает загрузку полупроводниковых пластин в реактор с горячими стенками перпендикулярно газовому потоку, откачку реактора до предельного вакуума, напуск...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002261937
Дата охранного документа: 10.10.2005
+ добавить свой РИД