×

Автор РИД: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН"

Показаны записи 1-1 из 1.
11.03.2019
№219.016.d65e

Способ изготовления биполярного транзистора

Использование: микроэлектроника, технология изготовления интегральных схем на биполярных транзисторах, изготовленных с использованием методов самосовмещенной технологии. Сущность изобретения: в способе изготовления биполярного транзистора, включающем нанесение на подложку кремния первого слоя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002262774
Дата охранного документа: 20.10.2005
+ добавить свой РИД