Автор РИД: Закрытое акционерное общество "Научно-производственная фирма Микран"

Изобретение относится к области твердотельной электроники и может использоваться при создании устройств, предназначенных для усиления, генерирования и преобразования ВЧ- и СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: в вертикальном полевом транзисторе, содержащем вывод истока, омический контакт к...

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к сверхширокополосным печатным антеннам СВЧ диапазона, и может найти применение в системах связи, в радиодефектоскопии, в задачах радиомониторинга. Техническим результатом является создание широкополосной антенны, способной излучать и...

Изобретение относится к подъемно-транспортному машиностроению, в частности к подъемникам пантографного типа, и может быть использовано в радиотехнике в качестве мачтового устройства для размещения различного оборудования, например антенн. Подъемник содержит опорную раму и рабочую площадку,...

Изобретение относится к области антенной техники и может быть использовано в радиотехнических системах различного назначения в качестве базового элемента облучателя зеркальных антенн для обеспечения режима двойного использования частоты за счет поляризационной развязки. Техническим результатом...

Изобретение относится к устройствам связи источника сигнала с нагрузками. Техническим эффектом является расширение диапазона рабочих частот делителя мощности в сторону сверхвысоких частот. Устройство включает корпус, который имеет форму прямоугольного параллелепипеда, в центральной части...

Изобретение относится к области радиотехники, в частности к сверхширокополосным антеннам СВЧ-диапазона. Техническим результатом является создание сверхширокополосной печатной антенны с низким уровнем кросполяризационной составляющей электрического поля, боковых лепестков. Печатная антенна...

Изобретение относится к технологии арсенид-галлиевой микроэлектроники, в частности к методам электрической пассивации поверхности полупроводниковых соединений и твердых растворов групп АB, и может быть использовано для снижения плотности поверхностных состояний как на свободной поверхности...