Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Р. Лебедева Российской академии наук, (ФГБУН ФИАН)

Изобретение относится к физике полупроводников. Его применение при определении параметров каскадно возбуждаемых ловушек носителей зарядов в полупроводнике позволяет исследовать каскадно возбуждаемый тип ловушек в более широком классе полупроводниковых материалов, начиная с кристаллических и...