×

Автор РИД: Общество с ограниченной ответственностью "КРОКУС НАНОЭЛЕКТРОНИКА"

Показаны записи 1-1 из 1.
10.05.2018
№218.016.407f

Комбинированный элемент магниторезистивной памяти (варианты), способы считывания информации с элемента (варианты), способы записи информации на элемент (варианты)

Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении сохранности информации в элементах на битовых ячейках магниторезистивной памяти (MRAM). Элемент MRAM состоит из n ячеек MRAM, где n ≥3, причем каждая из ячеек содержит по меньшей мере один слой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002648948
Дата охранного документа: 28.03.2018
+ добавить свой РИД