×

Автор РИД: Общество с ограниченной ответственностью "ЭПИКОМ"

Показаны записи 1-1 из 1.
10.05.2018
№218.016.39be

Способ получения многослойной гетероэпитаксиальной p-i-n структуры в системе algaas методом жидкофазной эпитаксии

Использование: для изготовления полупроводниковых p-i-n структур на основе системы GaAs-GaAlAs методами жидкостной эпитаксии. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает выращивание в едином технологическом цикле многослойной полупроводниковой структуры GaAs-GaAlAs,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002647209
Дата охранного документа: 14.03.2018
+ добавить свой РИД