Автор РИД: Полухин А.С.

Способ получения кремниевых эпитаксиальных слоев р-типа проводимости, включающий создание узкого зазора между подложкой и пластиной-источником на основе поликристаллического кремния, нагрев системы до температуры эпитаксии, введение в зазор насыщенного при температуре эпитаксии раствора кремния...