ЧЖАН Лунсянь (CN). Список авторских работ.

Автор РИД: ЧЖАН Лунсянь (CN)

Показаны записи 1-1 из 1.

13.02.2018

№218.016.2228

Тонкая пленка низкотемпературного поликристаллического кремния, способ изготовления такой тонкой пленки и транзистор, изготовленный из такой тонкой пленки

Изобретение предлагает способ изготовления тонкой пленки низкотемпературного поликристаллического кремния, включающий этап выращивания слоя аморфного кремния, этап первоначального выращивания слоя оксида кремния на слое аморфного кремния, затем формирование некоторого множества вогнутых...

Тип: Изобретение

Номер охранного документа: 0002642140

Дата охранного документа: 24.01.2018

Показать авторов и правообладателей