×

Автор РИД: Шумакин Никита Игоревич

Показаны записи 1-1 из 1.
29.12.2017
№217.015.feac

Способ получения полупроводниковых структур методом жидкофазной эпитаксии с высокой однородностью по толщине эпитаксиальных слоев

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способам получения методом жидкофазной эпитаксии многослойных полупроводниковых структур. При реализации способа используют герметичную ростовую камеру с раствором-расплавом, в которой закрепляют попарно группу подложек. При этом...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002638575
Дата охранного документа: 14.12.2017
+ добавить свой РИД