Автор РИД: Кутуев Руслан Азаевич

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии получения кремниевых пленок на сапфире с пониженной дефектностью. В способе изготовления полупроводниковой структуры проводят отжиг подложки в атмосфере водорода в течение 2 часов при...

Изобретение относится к теплотехнике и может быть использовано в работе тепловых электростанций. В заявленном способе в емкости располагают анод и катод при узком канале плазмы в пределах 2,5-3 см, емкость заполняют дистиллированной водой, в которую добавляют соль хлорида натрия в пределах...