×

Автор РИД: Семешина Ирина Петровна

Показаны записи 1-1 из 1.
29.12.2017
№217.015.f9d9

Способ изготовления мощных кремниевых свч ldmos транзисторов с модернизированным затворным узлом элементарных ячеек

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике и направлено на создание рентабельного базового процесса изготовления мощных кремниевых СВЧ LDMOS транзисторов с диапазоном рабочих частот до 3,0…3,6 ГГц на более доступном и менее дорогостоящем технологическом оборудовании. Это...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639579
Дата охранного документа: 21.12.2017
+ добавить свой РИД