×

Автор РИД: Латышева Екатерина Викторовна

Показаны записи 1-1 из 1.
26.08.2017
№217.015.d7f7

Способ измерения параметров полупроводниковых структур

Использование: для одновременного определения толщины полуизолирующей подложки, толщины и удельной электропроводности нанесенного на нее сильнолегированного слоя и подвижности свободных носителей заряда в этом слое. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения параметров...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002622600
Дата охранного документа: 16.06.2017
+ добавить свой РИД