Автор РИД: Одинец Андрей Анатольевич

Изобретение относится к технологии получения тонких пленок для сверхвысокочастотных применений и может быть использовано для выбора оптимальных компонентных составов пленок и срезов монокристаллической подложки для достижения эпитаксиального роста. На первом этапе определяется материал...

Способ получения сегнетоэлектрической пленки BaSrTiO относится к технологиям получения тонких пленок и может быть использован при получении сегнетоэлектрических пленок BaSrTiO для сверхвысокочастотной техники. На первом этапе на сапфировой подложке формируют сплошной сегнетоэлектрический слой...