Автор РИД: Григорьев Александр Михайлович

Использование: для изменения структуры внутри прозрачных материалов. Сущность изобретения заключается в том, что способ изменения структуры внутри прозрачных материалов, имеющих запрещенную зону, содержит воздействие на материал лазерным излучением с энергией фотона меньше запрещенной зоны...

Изобретение относится к области дефектоскопии кристаллических материалов и может применяться для обнаружения структурных дефектов в кристаллических материалах, в том числе полупроводниковых. При реализации способа обнаружения структурных дефектов в кристаллических материалах из исследуемого...