×

Автор РИД: ЧУНГ Теодор (NL)

Показаны записи 1-1 из 1.
25.08.2017
№217.015.b863

Интеграция светодиодов на нитриде галлия с приборами на нитриде алюминия-галлия/нитриде галлия на кремниевых подложках для светодиодов переменного тока

Способ изготовления эпитаксиальной структуры включает в себя обеспечение подложки и гетеропереходного пакета на первой стороне подложки и формирование пакета светоизлучающего диода на GaN на второй стороне подложки. Гетеропереходный пакет включает в себя нелегированный слой нитрида галлия (GaN)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002615215
Дата охранного документа: 04.04.2017
+ добавить свой РИД