×

Автор РИД: Исламов Дамир Ревинирович

Показаны записи 1-1 из 1.
25.08.2017
№217.015.aa38

Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта

Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002611580
Дата охранного документа: 28.02.2017
+ добавить свой РИД