×

Автор РИД: Иванов Антон Иванович

Показаны записи 1-1 из 1.
25.08.2017
№217.015.9fc5

Способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода (ртд) на основе многослойных algaas (алюминий, галлий, арсеникум) полупроводниковых гетероструктур

Использование: для определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения стойкости к радиационным и температурным воздействиям наноэлектронного резонансно-туннельного диода...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002606174
Дата охранного документа: 10.01.2017
+ добавить свой РИД