Автор РИД: Тундыков С.А.

Реверсивно-включаемый динистор, выполненный на основе полупроводниковой p-n-p-n-структуры, в которой оба эмиттерных p-n-перехода закорочены посредством технологического шунта, причем шунт по крайней мере одного из переходов имеет замкнутую форму, отличающийся тем, что, с целью повышения...