×

Автор РИД: ФЕТЦЕР Кристофер М. (US)

Показаны записи 1-1 из 1.
13.01.2017
№217.015.8a8a

Способ повышения качества туннельного перехода в структуре солнечных элементов

Способ формирования туннельного перехода (112) в структуре (100) солнечных элементов, предусматривающий попеременное осаждение вещества Группы III и вещества Группы V на структуре (100) солнечных элементов и управление отношением при осаждении указанного вещества Группы III и указанного...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002604476
Дата охранного документа: 10.12.2016
+ добавить свой РИД