×

Автор РИД: Силина Александра Андреевна

Показаны записи 1-1 из 1.
13.01.2017
№217.015.809a

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdhgte p-типа проводимости

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdHgTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdHgTe...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002602123
Дата охранного документа: 10.11.2016
+ добавить свой РИД