×

Автор РИД: Кривулин Николай Олегович

Показаны записи 1-1 из 1.
13.01.2017
№217.015.7ae9

Способ формирования эпитаксиального массива монокристаллических наноостровков кремния на сапфировой подложке в вакууме

Изобретение относится к сублимационному выращиванию эпитаксиальных массивов самоорганизованных монокристаллических наноостровков кремния на сапфировых подложках и может быть использовано в качестве нанотехнологического процесса, характеризующегося повышенной стабильностью формирования...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002600505
Дата охранного документа: 20.10.2016
+ добавить свой РИД