×

Автор РИД: Аминов Т.Г.

Показаны записи 1-2 из 2.
19.01.2017
№217.015.9322

Способ получения кадмийсодержащих полупроводниковых соединений

Способ получения кадмийсодержащих полупроводниковых соединений, заключающийся в пропускании импульсов постоянного тока через систему источник - электролит - заданная полупроводниковая структура в среде инертного газа, отличающийся тем, что, с целью получения соединений заданного состава в...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001173794
Дата охранного документа: 10.07.2016
10.08.2016
№216.015.5682

Электрохимическая ячейка для легирования полупроводникового материала индием

Электрохимическая ячейка для легирования полупроводникового материала индием, включающая анод, выполненный из индийсодержащего материала, мембрану, выполненную из твердоэлектролитного материала на основе индия, и катод, выполненный из бинарного либо тройного полупроводникового материала,...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0001722149
Дата охранного документа: 10.08.2016
+ добавить свой РИД