×

Автор РИД: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ")

Показаны записи 1-10 из 11.
23.05.2023
№223.018.6c50

Акселерометр для измерения линейных ускорений

Изобретение относится к области измерительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что акселерометр для измерения линейных ускорений дополнительно содержит интегрирующее устройство и контроллер, выполняющий функцию формирования на своем выходе управляющий сигнал с периодом, кратным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002730423
Дата охранного документа: 21.08.2020
02.04.2020
№220.018.12ab

Способ неинвазивного определения концентрации глюкозы в крови

Изобретение относится к медицине. Технический результат заключается в повышении точности измерения интенсивности принятого света, на основании которой определяется концентрация глюкозы. Способ неинвазивного определения концентрации глюкозы в крови предусматривает следующие действия. Облучают...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002718258
Дата охранного документа: 31.03.2020
26.05.2019
№219.017.619b

Электромагнитный экран

Использование: для экранирования электромагнитных полей. Сущность изобретения заключается в том, что электромагнитный экран содержит герметичную оболочку, внутри которой расположена гелеобразная композиция, образованная гелем с частицами материалов, взаимодействующих с электромагнитным...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002688894
Дата охранного документа: 22.05.2019
01.11.2018
№218.016.9965

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ получения монокристаллического SiC включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002671349
Дата охранного документа: 30.10.2018
20.01.2018
№218.016.168f

Способ определения адгезионной прочности покрытий к подложке

Использование: для определения адгезионной прочности несплошных наноструктурированных покрытий. Сущность изобретения заключается в том, что способ определения адгезионной прочности покрытий к подложке включает выбор области покрытия, проведение воздействия на выбранную область, регистрацию...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002635335
Дата охранного документа: 10.11.2017
20.01.2018
№218.016.1118

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC, размещенного в тигле, на пластину затравочного монокристалла...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002633909
Дата охранного документа: 19.10.2017
29.12.2017
№217.015.f8c0

Способ получения магнитной жидкости

Изобретение относится к области коллоидной химии и может быть использовано для получения магнитных жидкостей, применяемых в медицине для доставки лекарственных препаратов в требуемые органы живых организмов. Способ получения магнитной жидкости заключается в том, что приготавливают водный...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002639709
Дата охранного документа: 22.12.2017
25.08.2017
№217.015.d239

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC - широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем. Способ включает размещение в камере роста 1 тигля 6 с источником SiC 12 и закрепленной на крышке 7 тигля...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002621767
Дата охранного документа: 07.06.2017
25.08.2017
№217.015.b0fc

Способ получения полупроводникового карбидокремниевого элемента

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в технологии производства электронных приборов на карбиде кремния (SiC), например, МДП транзисторов с улучшенными рабочими характеристиками. В способе получения полупроводникового карбидокремниевого элемента, включающем введение...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002613013
Дата охранного документа: 14.03.2017
13.01.2017
№217.015.853c

Способ получения монокристаллического sic

Изобретение относится к технологии получения монокристаллического SiC - широкозонного полупроводникового материала, используемого для создания на его основе интегральных микросхем. Способ включает сублимацию источника SiC 6 на затравочную пластину 5 из монокристаллического SiC, закрепленную на...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002603159
Дата охранного документа: 20.11.2016
+ добавить свой РИД