×

Автор РИД: СОКО КАГАКУ КО., ЛТД. (JP)

Показаны записи 1-7 из 7.
22.04.2020
№220.018.1778

Способ изготовления нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовое излучение элемента и нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовое излучение элемент

Способ изготовления нитридного полупроводникового излучающего ультрафиолетовое излучение элемента, имеющего пиковую длину волны излучения 285 нм или более короткую, содержит первый этап, на котором формируют слой полупроводника n-типа, состоящий из полупроводника n-типа на основе AlGaN...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002719339
Дата охранного документа: 17.04.2020
29.12.2018
№218.016.ad01

Излучающий ультрафиолетовый свет нитридный полупроводниковый элемент

Излучающий ультрафиолетовый свет нитридный полупроводниковый элемент содержит подслойную часть, включающую подложку, которая состоит из сапфира и имеет поверхность, наклоненную к поверхности (0001) так, что образуется многоступенчатая терраса, слой AlN, образованный на поверхности этой...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002676178
Дата охранного документа: 26.12.2018
25.08.2018
№218.016.7f8a

Излучающий ультрафиолетовый свет нитридный полупроводниковый элемент и излучающее ультрафиолетовый свет нитридное полупроводниковое устройство

Предлагается нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент, способный эффективно отводить отходящее тепло, образуемое в процессе излучения ультрафиолетового света. Нитридный полупроводниковый излучающий ультрафиолетовый свет элемент включает полупроводниковый слоистый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002664755
Дата охранного документа: 22.08.2018
18.05.2018
№218.016.5224

Шаблон для эпитаксиального выращивания, способ его получения и нитридное полупроводниковое устройство

Настоящее изобретение предусматривает способ получения шаблона для эпитаксиального выращивания. Способ содержит стадию поверхностной обработки, включающий диспергирование Ga-атомов на поверхности сапфировой подложки, и стадию эпитаксиального выращивания AlN-слоя на сапфировой подложке, где...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002653118
Дата охранного документа: 07.05.2018
12.01.2017
№217.015.633d

Излучающий ультрафиолетовое излучение прибор

Предложен излучающий ультрафиолетовое излучение прибор, обладающий высоким качеством и высокой надежностью за счет предотвращения ухудшения электрических характеристик, которое связано с операцией генерации ультрафиолетового излучения и вызвано герметизирующей смолой. Излучающий...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002589449
Дата охранного документа: 10.07.2016
27.10.2015
№216.013.87dc

Нитридный полупроводниковый элемент и способ его изготовления

Изобретение относится к светодиоду или лазерному диоду и способу его изготовления. Нитридный полупроводниковый элемент 1 включает в себя основную структурную часть 5 и структурную часть 11 элемента, сформированную на основной структурной части 5 и имеющую, по меньшей мере, полупроводниковый...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002566383
Дата охранного документа: 27.10.2015
10.09.2015
№216.013.75dc

Нитридный полупроводниковый ультрафиолетовый светоизлучающий элемент

Данный нитридный полупроводниковый ультрафиолетовый светоизлучающий элемент обеспечивается: базовой секцией структуры, которая включает в себя сапфировую подложку (0001) и слой AlN, сформированный на подложке; и секцией структуры светоизлучающего элемента, которая включает в себя слой покрытия...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002561761
Дата охранного документа: 10.09.2015
+ добавить свой РИД