×

Автор РИД: ШЕН МейЧин (TW)

Показаны записи 1-1 из 1.
10.02.2016
№216.014.e978

Средство для удаления фоторезиста после ионной имплантации для перспективных областей применения полупроводников

Изобретение относится к композиции для удаления фоторезиста после ионной имплантации, содержащей: (a) амин, (b) органический растворитель А, и (c) сорастворитель, где содержание воды в композиции составляет менее 0.5 мас. % композиции; амин представляет собой гидроксид четвертичного аммония и...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575012
Дата охранного документа: 10.02.2016
+ добавить свой РИД