×

Автор РИД: НАГАЯ Сигео (JP)

Показаны записи 1-1 из 1.
20.02.2016
№216.014.cd97

Текстурированная подложка для формирования эпитаксиальной пленки и способ ее изготовления

Изобретение относится к текстурированной подложке для выращивания на ней эпитаксиальной пленки оксидного сверхпроводящего материала для использования в различных типах электросилового оборудования. Текстурированная подложка содержит слой текстурированного металла, по меньшей мере, на одной...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002575286
Дата охранного документа: 20.02.2016
+ добавить свой РИД