Автор РИД: Леньшин Александр Сергеевич

Использование: для роста наноразмерных пленок диэлектриков на поверхности монокристаллических полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что пленку AlO наносят ионно-плазменным распылением на слой пористого кремния с размером пор менее 3 нм, полученного электрохимическим...

Изобретение относится к области нанотехнологий и наноматериалов и может быть использовано в стоматологии и биомедицине. Сущность способа заключается в том, что получение наноразмерного порошка кремния обеспечивают травлением монокристаллического кремния в ячейке электрохимического травления с...

Изобретение относится к области нанотехнологий и наноматериалов. Наноразмерный порошок кремния получают травлением монокристаллического кремния в ячейке электрохимического травления с контрэлектродом U-образной формы из нержавеющей стали с последующим механическим отделением пористого слоя от...