Автор РИД: МЕРКУЛОВ Алексей (DE)

Настоящее изобретение касается способа изготовления полупроводникового ламината, включающего в себя первый и второй слои оксида металла, а также слой диэлектрика, причем первый слой оксида металла располагается между вторым слоем оксида металла и слоем диэлектрика и имеет толщину равную или...

Изобретение относится к галогенсодержащему оксоалкоксиду индия общей формулы InO(OH)(OR)X(ROH), в которой R означает алкил с 1-15 атомами углерода, Х означает фтор, хлор, бром, йод и х означает число от 0 до 10. Также предложены способ получения галогенсодержащего оксоалкоксида индия и его...

Изобретение относится к галогенсодержащему оксоалкоксиду индия общей формулы InOX(OR)(R′CH(O)COOR″)(HOR)(HNR″′), в которой X означает фтор, хлор, бром и/или йод, R означает алкил с 1-15 атомами углерода, R′ означает алкил с 1-15 атомами углерода, R″ означает алкил с 1-15 атомами углерода, R″′...

Изобретение относится к получению содержащих оксид индия слоев из безводного раствора. В способе безводную композицию, содержащую по меньшей мере один индий-галоген-алкоксид общей формулы InX(OR), в которой R=алкильный и/или алкоксиалкильный остаток и X=F, Cl, Br или I, и по меньшей мере один...