Автор РИД: Гревцев Михаил Александрович

Изобретение относится к термоэлектрическим генераторам на основе полупроводниковых структур. Сущность: способ изготовления термоэлектрического генератора включает выкалывание из слитка сульфида самария SmS плоскопараллельной пластины (3), нанесение самария (2) на поверхность первого плоского...

Изобретение относится к технологии синтеза полупроводниковых материалов и может быть использовано при массовом производстве тензочувствительных материалов на основе сульфида самария (SmS). Для синтеза материала состава SmS, где 0≤x≤0,17, берут в измельченном виде SmS и Sm в мольном соотношении...