×

Автор РИД: АЛЬДАС Рафаэль Игнасио (NL)

Показаны записи 1-1 из 1.
27.10.2015
№216.013.87f0

Компоновка шунтирующего слоя для сид

Светоизлучающее диодное (СИД) устройство содержит кристалл (40) СИД, содержащий светоизлучающий полупроводниковый слой (20), эпитаксиально выращенный на подложке роста и продолжающийся, по существу, по всему кристаллу СИД, причем кристалл СИД имеет верхнюю поверхность, содержащую слой (28)...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002566403
Дата охранного документа: 27.10.2015
+ добавить свой РИД