Автор РИД: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет)

Изобретение относится к области электроники и оптоэлектроники и может быть использовано при создании структур активных элементов нано- и оптоэлектроники и интегральных схем на их основе. Способ получения регулярного массива квантовых точек включает использование подложки с центрами зарождения,...

Изобретение относится к области оптоэлектроники, а именно - к быстродействующим интегральным фотодетекторам на основе полупроводниковых материалов типа AB. Для увеличения быстродействия при сохранении высокой чувствительности в фотодетектор с управляемой передислокацией максимумов плотности...

Заявленное изобретение относится к устройствам преобразования емкости в двоичный код и может быть использовано в устройствах обработки информации емкостных преобразователей микромеханических гироскопов и акселерометров. Техническим результатом является уменьшение числа логических элементов и,...

Изобретение относится к области вычислительной техники. Техническим результатом является повышение точности восстановления изображения при реконструкции значений пикселей изображений папиллярных узоров отпечатка пальца. Устройство восстановления папиллярных узоров отпечатка пальца, содержащее...

Изобретение относится к области измерительной техники и микросистемной технике. Сущность изобретения заключается в том, что интегральный микромеханический гироскоп-акселерометр дополнительно содержит четыре неподвижных электрода емкостных преобразователей перемещений, четыре неподвижных...

Изобретение относится к области физики и химии поверхности и может быть использовано для оценки физико-химических процессов, протекающих на поверхности материалов, в частности для оценки изменения морфологии поверхностей полупроводниковых материалов, используемых в сенсорах газов,...

Изобретение относится к стекловидному неорганическому диэлектрику, включающему следующие соотношения компонентов, вес.%: SiO 65,0-67,7; BO 5,2-8,8; СаО 1,7-3,3; MgO 1,0-2,3; NaO 3,7-4,2; KO 2,0-5,4; LiO 3,5-5,0; SbO 0,6-2,5; MnO 1,2-2,7; ZrO2 7,55-15,80. Технический результат - снижение КЛТР...

Изобретение относится к области технологий получения кремний-углеродных пленок, с помощью гальванических процессов, на диэлектрических материалах и может быть использовано для производства устройств газовой сенсорики, автоэмиссионных электродов и электродов суперконденсаторов. Способ включает...

Изобретение относится к области гальванотехники и может быть использовано в технологии тонкопленочной микроэлектроники для получения химически, механически, коррозионно- и термостойких покрытий с заданными электрическими и/или магнитными, и/или прочностными свойствами. Способ включает...

Изобретение относится к области микросистемной техники и может быть использовано в интегральной электронике для коммутации сигналов. Техническим результатом является коммутации сигналов сантиметрового волнового диапазона с низкими вносимыми потерями, низкой индуктивностью, низким напряжением...