×

Автор РИД: СОЕНО Акитака (JP)

Показаны записи 1-1 из 1.
10.09.2015
№216.013.7a71

Полупроводниковое устройство

В полупроводниковом устройстве диодная область и область БТИЗ сформированы на одной и той же полупроводниковой подложке. Диодная область включает в себя множество анодных слоев первого типа проводимости, открытых на поверхности полупроводниковой подложки и отделенных друг от друга. Область БТИЗ...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002562934
Дата охранного документа: 10.09.2015
+ добавить свой РИД