Автор РИД: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук (ОНЦ СО РАН)

Использование: для определения электрофизических параметров индивидуальных углеродных нанотрубок. Сущность изобретения заключается в том, что способ бесконтактной оценки проводимости индивидуальных углеродных нанотрубок заданного синтеза, в котором: предварительно нанотрубки помещаются на...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе изготовления электронных устройств, в которых необходима пористая интегрированная мембрана: газовые фильтры в составе селективных газовых сенсоров, датчики скорости потока газов, топливные элементы и т.п....

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе получения материалов с высокой газовой чувствительностью и малыми размерами для изготовления газовых сенсоров. Техническим результатом изобретения является повышение чувствительности газочувствительного...

Изобретение относится к способам формирования пористого оксидного материала и может быть использовано для разработки анодных материалов литий-ионных батарей и суперконденсаторов нового поколения, чувствительных элементов газовых сенсоров. Способ получения пленок пористого кристаллического...

Изобретение относится к химии, электротехнике и нанотехнологии и может быть использовано для разработки анодных материалов литий-ионных батарей нового поколения, а также чувствительных элементов газовых сенсоров. Сначала формируют массив многостенных углеродных нанотрубок (МУНТ) на подложке в...

Изобретение относится к нанотехнологии. Сначала смешивают полимер с катализатором и растворителем до получения однородного раствора. Используют карбоцепные полимеры с боковыми функциональными группами, а катализатор выбирают из группы, состоящей из органических или неорганических соединений...

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе создания многослойной структуры пористый кремний на изоляторе, например, для газовых сенсоров. Способ получения многослойной структуры пористый кремний на изоляторе включает анодное травление пластины...