×

Автор РИД: Ивлев Константин Евгеньевич

Показаны записи 1-1 из 1.
27.06.2015
№216.013.58e5

Способ получения многослойной структуры пористый кремний на изоляторе

Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано в процессе создания многослойной структуры пористый кремний на изоляторе, например, для газовых сенсоров. Способ получения многослойной структуры пористый кремний на изоляторе включает анодное травление пластины...
Тип: Изобретение
Номер охранного документа: 0002554298
Дата охранного документа: 27.06.2015
+ добавить свой РИД